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第三代半导体产业发展现状及进程 第三代半导体产业发展相关项目汇总

WuYaNan

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第三代半导体产业发展现状及进程,相关项目有哪些?

2018年,在国家政策大力扶持的双重驱动力下,我国第三代半导体材料市场继续保持高速增长,总体市场规模已达到5.97亿元,同比增长47.3%。

预计未来三年中国第三代半导体材料市场规模仍将保持20%以上的平均增长速度,到2021年将达到11.9亿元。

随着技术的发展,终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。特别是随着5G的即将到来,也进一步推动了以氮化镓(GaN)第三代半导体材料的快速发展。

目前占据消费品电子领域市场主流的砷化镓射频功率放大器(GaAs PA)已无法满足5G的技术需求,相比之下,氮化镓射频功率放大器(GaN PA)具有更高的功率、增益和效率,用于基站端能更有效地满足未来5G技术所需要的高功率、高效率以及高通信频段等要求。因此,GaN PA成为最有潜力的发展热点。

研究数据显示2016年射频功率半导体(>3W)市场规模接近15亿美元,预计2020年将达到26亿美元,其中电信基础设施(包含基站、无线回传)射频功率半导体将占据一半的市场份额。但是2016年GaAs器件市场占比较多,GaN器件仅占比约20%。2017年GaN射频器件市场规模约为3.8亿美元,预计2023年将达到13亿美元。

第三代半导体材料即宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev),主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAS)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN),较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄,而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。微波射频领域、光电领域、电力电子等领域为第三代半导体提供了广阔的市场空间。

第三代半导体项目进行统计(4个项目):

中科院碳化硅产业一体化项目

中科院碳化硅产业一体化项目总投资20亿元,主要产品为碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOS晶体管等功率器件。

北京双仪微电子项目

北京双仪微电子科技有限公司公开表明投资意向将投资10亿元在北京市亦庄经济技术开发区建造目前全国唯一具备规?;坎芰Φ南冉ひ占际跎?,进行砷化镓微波集成电路(GaAs MMIC)芯片的代工服务,预计于2019年初投产使用。

2016可谓是我国第三代半导体产业发展“元年”,以“北京第三代半导体材料及应用联合创新基地”正式动工和第三代半导体南方基地落户广东事件为标志,我国第三代半导体的地方基地布局在各级政府推动下正在逐步展开。

聚力成外延片和芯片产线项目

聚力成外延片和芯片产线项目由重庆捷舜科技有限公司投资建设,预计总投资50亿元,主要从事氮化镓外延片、芯片研发与生产、芯片封装代工服务等。

据悉,按计划,该项目在签约后1个月内启动建设,12个月内完成一期厂房建设并开始试生产。投产后的5年内总产值将达到100亿元,税收将超过13亿元。同时,聚力成外延片和芯片产线项目产业配套项目总投资达40亿元,占地300亩,还将建设中国区总部、科技研发及产学基地。

天岳碳化硅材料项目

天岳碳化硅材料项目由山东天岳晶体材料有限公司开发建设,总投资30亿元,项目分为两期建设,一期占地156亩,主要生产碳化硅导电衬底,预计年产值可达13亿元;二期主要生产功能器件,包括电力器件封装、??榧白爸?,新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等,预计年产值可达50~60亿元。

该项目的开工标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。


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